DTNPR-MEMS光刻胶是 MEMS用途的功能性负性光刻胶。可以应对从薄膜到超厚膜的工艺，可以制作垂直性高，高宽深比的结构。
工艺条件
涂布：旋涂，Si wafer, 玻璃等
膜厚：~100um ，兼顾膜厚均一性
（见下图分别为为MEMS10、MEMS35、
MEMS50的膜厚与转速的关系）
前烘：95 ℃直接加热板或热对流式
曝光：i线/g线
PEB: 100 ℃直接加热板或热对流式
显影：MEMS Developer P ( 溶剂型）
后烘：根据需要， 100 ℃ ~200 ℃
