特征：
高分辨率(在后膜情况下)；
极高的热稳定性，在≥300℃都有很好的稳定性；
主要原料树脂的具有低介电常数（≈2.9）
工艺条件：
涂布：旋涂，基材（硅晶圆等）
前烘：120℃*2min直接热板；
膜厚：根据转速和黏度发生变化；
曝光：i线，50mJ/cm²或更高（应用单波长曝光时i线优先）；
显影：2.38%TMAH，浸泡60s;
后烘：150℃或更高*2min直接热板；
